Формування КМОН схем на GaAs із самосуміщеними нітридними та силіцидними затворами
DOI:
https://doi.org/10.15330/pcss.16.2.420-424Ключові слова:
арсенід галію, польові транзистори Шотткі, нітрид вольфраму, силіцид вольфрамуАнотація
Розглянуто особливості технологічних процесів формування n- та p-канальних польових транзисторів Шотткі на р-GaAs із самосуміщеним затвором на основі нітриду або силіциду вольфраму, які можуть бути використані для створення швидкодіючих комплементарних логічних схем. Описано низькотемпературну технологію реактивного осадження нітриду вольфраму методом ВЧ-магнетронного розпилення вольфрамової мішені в азотно-аргоновій плазмі.
Посилання
[1] S. P. Novosjadlij, Fiziko-tehnologichni osnovi submikronnoyi tehnologiyi VIS (Simik, Ivano-Frankivs'k, 2003).
[2] S. P. Novosjadlij, Sub- i nanomikronna tehnologija struktur VIS (Misto NV, Ivano-Frankivs'k, 2010).
[3] S. P. Novosjadlij, Shidno-Yevropejs'kij zhurnal novitnih tehnologij, 1(7), 26 (2009).
[4] S. P. Novosjadlij, Shidno-Yevropejs'kij zhurnal novitnih tehnologij, 3/7(45), 52 (2010).
[5] S. P. Novosjadlij, Metalofizika i novitni tehnologiyi 2(4), 17 (2011).
[6] S. P. Novosjadlij, Fizika i himija tverdogo tila, 2(13), 416 (2012).
[7] S .P. Novosjadlij, Shidno-Yevropejs'kij zhurnal novitnih tehnologij 5/5(65), 29 (2013).
[8] S. P. Novosjadlij, Tehnologija epitaksijnogo formuvannja silicidiv dlja pidvishhennja shvidkodiyi VIS. Materiali III Mizhnarodnoyi naukovo-praktichnoyi konferenciyi "Fiziko-tehnologichni problemi radiotehnichnih pristroyiv, zasobiv telekomunikacij, nano- ta mikroelektroniki". (Chernivci, Ukrayina 2013). S. 167.
[2] S. P. Novosjadlij, Sub- i nanomikronna tehnologija struktur VIS (Misto NV, Ivano-Frankivs'k, 2010).
[3] S. P. Novosjadlij, Shidno-Yevropejs'kij zhurnal novitnih tehnologij, 1(7), 26 (2009).
[4] S. P. Novosjadlij, Shidno-Yevropejs'kij zhurnal novitnih tehnologij, 3/7(45), 52 (2010).
[5] S. P. Novosjadlij, Metalofizika i novitni tehnologiyi 2(4), 17 (2011).
[6] S. P. Novosjadlij, Fizika i himija tverdogo tila, 2(13), 416 (2012).
[7] S .P. Novosjadlij, Shidno-Yevropejs'kij zhurnal novitnih tehnologij 5/5(65), 29 (2013).
[8] S. P. Novosjadlij, Tehnologija epitaksijnogo formuvannja silicidiv dlja pidvishhennja shvidkodiyi VIS. Materiali III Mizhnarodnoyi naukovo-praktichnoyi konferenciyi "Fiziko-tehnologichni problemi radiotehnichnih pristroyiv, zasobiv telekomunikacij, nano- ta mikroelektroniki". (Chernivci, Ukrayina 2013). S. 167.
##submission.downloads##
Опубліковано
2015-06-15
Як цитувати
Новосядлий, С., Терлецький, А., & Фрик, О. (2015). Формування КМОН схем на GaAs із самосуміщеними нітридними та силіцидними затворами. Фізика і хімія твердого тіла, 16(2), 420–424. https://doi.org/10.15330/pcss.16.2.420-424
Номер
Розділ
Наукові статті
