The Processes of Energy Transformation in Activated Laser Materials  with Ions Er3 (Review)

А.Г. Кевшин; В. В. Галян; Т. А. Семенюк

doi:10.15330/pcss.16.2.245-252

Автор(и)

А.Г. Кевшин Східноєвропейський нацйональний технічний університет імені Лесі Українки
В. В. Галян Східноєвропейський нацйональний технічний університет імені Лесі Українки
Т. А. Семенюк Східноєвропейський нацйональний технічний університет імені Лесі Українки

DOI:

https://doi.org/10.15330/pcss.16.2.245-252

Ключові слова:

лазерні матеріали, рідкоземельні елементи, ап-конверсія, крос-релаксація

Анотація

В статті проведений аналіз різних літературних джерел, в яких описані основні процеси трансформації енергії в активованих йонами Er³⁺ лазерних матеріалах. Встановлено, що в основі цих процесів лежать ап-конверсійні та крос-релаксаційні переходи, які дають можливість реалізувати генерацію в ербієвих лазерах. Ефективним сенсибілізатором для йонів ербію є йони ітербію, які за рахунок безвипромінювального перенесення збудження ефективно передеють енергію йонам Er³⁺.

Посилання

R. Baldaetal., Opt. Mater. 31(5), 760 (2009).

I. S. Sharova, T. Ju. Ivanova, A. A. Man'shina, Fiz. him. stekla 32(1), 56 (2006).

A. Tverjanovichetal., J. Non-Cryst. Solids. 286(1-2), 89 (2001).

V. V. Halyan etal., Phys. StatusSolidi (c). 6(12), 2810 (2009).

V. V. Galjan, A. G. Kevshin, G. E. Davidjuk, M. V. Shevchuk, S. V. Voronjuk, Ukr. fіz. zhurn. 55(12), 1278 (2010).

G. E. Davidjuk, V. V. Galjan, O. V. Paoasjuk, A. G. Kevshin, Ju. Kogut, Physics and Chemistry of Solid State 11(1), 68 (2010).

A. V. Malov, P. A. Rjabochkina, A. V. Popov, E. V. Bol'shakova, Kvantovajaj elektronika 40(5), 377 (2010).

A. M. Tkachuk, I. K. Razumova, A. A. Mirzaeva, A. V. Malishev, V. P. Gaponcev, Optika i spektroskopija 92(1), 73 (2002).

V. A. Aseev, N. V. Nikonorov, A. K. Przhevuskij, Ju. K. Fedorov, A. M. Ul'jashenko, Opticheskij zhurnal 73(3), 20 (2006).

Ju. P. Rudnickij, L. V. Shachkin, I. D. Zalevskij, Kvantovajaj elektronika 32(3), 197 (2002).

V. Ju. Golyshev, Zhurnal tehnicheskoj fiziki 73(10), 93 (2003).

T. Schweizer, T. Jensen, E. Heumann, G. Huber, Opt. Commun 118(5-6), 557 (1995).

P. Laporta, S. Taccheo, O Svelto, C Svelto, Opt. Mat. 11(2-3), 269 (1999).

M. A. El'jashevich, Spektryredkih zemel' (GITTL, Moskva, 456).

S. Hüfner, Optical Spectra of Transparent Rare Earth Compounds (AcademicPress, NewYork, 252).

A. Abragam, B. Blini, Jelektronnyj paramagnitnyj rezonans perehodnyhionov. Tom 2 (Mir, Moskva, 351).

S. Q. Gu, S. Ramachandran, E. E. Reuter etal., J. Appl. Phys. 77(7), 3365 (1995).

M. Munzar, C. Koughia, D. Tonchev etal., Opt. Mater. 28(3), 225 (2006).

Yuan-huiZheng, Ya-xunZhou, Xing-yanYu, Ya-weiQi, Sheng-xiPeng, Li-boWu, Feng-jingYang., Opt. Lett. 10(3), 184 (2014) .

T. Ohtsuki, N. Peyghambarian, J. Appl. Phys. 78(6), 3617 (1995).

J. Zheng, X. F. Wang, W. Y. He, Y. Y. Bu, X. H. Yan, Appl. Phys. B. 115(4), 443 (2014).

I. A. Bufetov, M. M. Bubnov, M. A. Mel'kumov, V. V. Dudin, Kvantovajaj elektronika 35(4), 328 (2004).

A. S. Kurkov, E. M. Dianov, V. M. Paramonov, A. N. Gur'janov, Kvantovajaj elektronika 30(9), 791 (2000).

E. M. Dianov, I. A. Bufetov, V. M. Mashinskij, Kvantovajaj elektronika 34(8), 695 (2004).

E. M. Dianov, I. A. Bufetov, V. M. Mashinskij, A. V. Shubin, Kvantovajaj elektronika 35(5), 435 (2005).

J. I. Adam, J. Lucas, S. Jiang, Proc. SPIE «Rare-Earth-Doped Devices» 2996, 54 (1997).

M. Hempstead, Proc. SPIE «Rare-Earth-Doped Devices». 2996, 94 (1997).

J. Shmulovich, Proc. SPIE «Rare-Earth-Doped Devices». 2996, 143 (1997).

K. J. Malone, Proc. SPIE «Glass Integrated Optics and Optical Fiber Devices». CR53, 132 (1994).

A. K. Przhevuskij, N. V. Nikonorov, Kondensirovannye lazernye sredy: ucheb. posobie (SPbGU ITMO, Sankt_Peterburg, 2009).

G. H. Dieke, Spectraand energy level sofrare earth ions in crystals (Wiley-Interscience, NewYork, 1968).

V. V. Osiko, Lazernyematerialy: Izbrannyetrudy (Nauka, Moskva, 2002).

K. Fujiura, T. Kanamori, M. Yamada, Proc. SPIE «Rare-Earth-Doped Devices». 2996, 174 (1997).

W. Seeber, E. A. Downing, L. Hesselink, M.M. Fejer, J.Non-Cryst. Solids. 189(3), 218 (1995).

D. R. Simons, A. J. Faber, H. Waal, J. Non-Cryst. Solids. 185(3), 283 (1995).

S. G. Bishop, D. A. Tumbull, B. G. Aitken, J. Non-Cryst. Solids. 266-269(2), 876 (2000).

D. A. Tumbull, S.G. Bishop, J.Non-Cryst. Solids. 213-214, 288 (1997).

N Mott, Jelektronnye processy v nekristallicheskih veshhestvah (Mir, Moskva, 1982).

N. Nikonorov, A. Przhevuskii, M. Prassas, D. Jacob, Appl. Opt. 38(30), 6284 (1999).

Bor-Chuan Wang, ShibinJiang, RaoLuo, J. Watson, G. Sorbello, N. Peyghambarian, Opt. Soc. Am. 17(5), 833 (2000).

M. P. Hehlen, N. J. Cockroft, T. R. Gosnell, A. J. Bruce, G. Nykolak, J. Shmulovich, Opt. Let. 22(11), 772 (1997).

T. Ohtsuki, S. Honkanen, S. I. Najaf, N. Peyghambarian, J. Opt. Soc. Am.B. 14(7), 1838 (1997).

E. Snoeks, vanderHoven, A. Pohman, B. Hendriksen, M. B. Diemeer, F. Priolo, J. Opt. Soc. Am.B. 22(8), 1468 (1995).

N. V. Nikonorov, S. M. Shandarov, Volnovodnaja fotonika: ucheb. posobie (SPbGU ITMO, Sankt_Peterburg, 2008).

N. V. Nikonorov, A. K. Przhevuskii, A. V. Chukbarev, J. Non-Cryst. Solids. 324(1-2), 92 (2003).

V. I. Petrik, Antistoksovye soedinenija i materialy na ihosnove (Oblastnaja tipografija № 1, Irkutsk, 2012).

V. L. Ermolaev, E. N. Bodunov, E. B. Sveshnikova, T. L. Shahverdov, Bezyzluchatel'nyj perenos jenergiij elektronnogo vozbuzhdenija (Nauka, oskva, 977).

A. S. Kurkov, E. M. Dianov, Kvantovajaj elektronika 34(10), 881 (2004).

A. V. Holodkov, K. M. Golant, Zhurn. tehn. fiziki 75(6), 46 (2005).

V. A. Aseev, N. V. Nikonorov, A. K. Przhevuskij, Ju. K. Fjodorov, Opticheskij zhurnal 73(3), 20 (2006).

W. Ruikunet.al., SPIE PhotonicsWest. 4968-1, 1 (2003).

Ju. A. Kuznecova, Izvestija Samarskogo centra Rosijskoj akademii nauk 15(4), 112 (2013).