О. Ткачук, В. Лобанов, і М. Теребінська, «Остівні одноелектронні стани адсорбційних комплексів Ge на поверхні Si(001)(42)», Phys.Chem.Sol.State, вип. 16, вип. 2, с. 316–321, Чер 2015.