Електронна енергетична структура поверхні (100) In4Se3 за різного приготування та при різних впливах при дослідженні ультрафіолетовою фотоелектронною спектроскопією - Макар, Т.Р.; Дзюба, В.І.; Ненчук, Т.М.; Тузяк, О.Я.; Галій, П.В. (Фізика і хімія твердого тіла, 2024)
Поверхні (100) шаруватого кристалу In4Se3 отримувалися in situ, розпилювалися іонами та витримувалися у НВВ протягом кількох годин. Спектри УФЕС таких поверхонь, атомарно чистих та після згаданих впливів, записувалися та аналізувалися задля отримання електронного спектру поверхні (100) In4Se3. Першопринципні розрахунки зонної структури проводилися у наближенні узагальненого градієнту теорії функціонала густини, і для In4Se3 отримано занижену оцінку (0.21 eВ) для забороненої зони. Розрахована повна густина станів In4Se3 в цілому співпадає з УФЕС спектром для атомарно-чистої поверхні. Тому вивчення зонної структури поверхні сколу (100) In4Se3 після іонного розпилення чи перебування у НВВ більше, ніж кілька годин, слід вважати неінформативним, і таких впливів на зразок слід уникати.