Дослідження напівпровідникового твердого розчину Ti1-xMoxCoSb - Стадник, Ю.; Ромака, В.; Горинь, А.; Ромака, Л.; Крайовський, В.; Романів, І.; Рокаманюк, М. (Фізика і хімія твердого тіла, 2020)
Досліджено вплив легування сполуки TiCoSb (структурний тип MgAgAs) атомами Мо на особливості структурних характеристик та поведінку кінетичних, енергетичних та магнітних властивостей напівпровідникового твердого розчину Ti1-xMoxCoSb (х = 0 - 0,06) в інтервалі температур 80 - 400 К. Показано, що уведення атомів Мо (rМо = 0,140 нм) до структури сполуки ТiCoSb шляхом заміщення у позиції 4а атомів Ті (rТі = 0,146 нм) супроводжується немонотонною зміною значень періоду елементарної комірки а(х), вказуючи на непрогнозовані структурні зміни. На основі аналізу зміни значень питомого опору, коефіцієнта термо-ерс, магнітної сприйнятливості та енергетичних характеристик зроблено висновок про одночасне генерування у кристалі структурних дефектів донорної та акцепторної природи (донорно-акцепторні пари), які породжують відповідні енергетичні рівні у забороненій зоні напівпровідника та визначають його електропровідність.