Формування КМОН схем на GaAs із самосуміщеними нітридними та силіцидними затворами - Новосядлий, С.П.; Терлецький, А.І.; Фрик, О.Б. (Фізика і хімія твердого тіла, 2015)
Розглянуто особливості технологічних процесів формування n- та p-канальних польових транзисторів Шотткі на р-GaAs із самосуміщеним затвором на основі нітриду або силіциду вольфраму, які можуть бути використані для створення швидкодіючих комплементарних логічних схем. Описано низькотемпературну технологію реактивного осадження нітриду вольфраму методом ВЧ-магнетронного розпилення вольфрамової мішені в азотно-аргоновій плазмі.