Комп’ютерне моделювання арсенід галієвих супер бета-транзисторів на гетероструктурах для швидкодіючих ВІС - Новосядлий, С.П.; Гузік, В.С. (Фізика і хімія твердого тіла, 2015)
Серед напівпровідників по частоті використання в мікроелектроніці для створення цифрових мікросхем кремній був і залишився основним матеріалом. Разом з тим почали інтенсивно впроваджувати мікросхеми на основі арсеніду галію. Арсенідгалієві мікросхеми в силу високої рухливості носіїв заряду мають частотний діапазон функціонування недосягаючий для мікросхем на основі кремнію (Si).